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    高純水標準

    文字:[大][中][小] 2016-3-12    瀏覽次數:3130    
    電導率之倒數。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。

    高純水標準
     
     中華人民共和國機械行業標準
     JB/T 7621--94 
     電力半導體器件工藝用高純水
    機械工業部.1994-12-09批準 1995—O6—O1實施
    1 主題內容與通用范圍
        本標準給出了電力半導體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級別、技術要求、測試方法和規則。
        本標準適用于去離子處理后的高純水。

    2 引用標準
        GB11446電子級水及其檢測方法

    3術語
      3.1 電導率electrical conductivityctricalconduc2ivity
         在規定溫度下,1cm3水溶液兩相對面之間測得的電阻值的倒數。電導率通常以μS/cm為單位。
        水的理論電導率為0.0548μs/cm(25℃時)。
      3.2電阻率 resistivity 
         電導率之倒數。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。
      3.3顆粒性物質granular sulbstance
         除氣體以外,以非液態形式分散在水中,并形成非均勻相混合物的物質。
      3.4總有機碳(TOC)total organic carbon
         水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被—般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊化的有機物。
      3.5總固體 total solid
         水樣蒸發、烘干后殘留的固總量。
      3. 6全硅 total silicon
         水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。
      3.7高純水high-pure water, ultrapure water
    電阻率在5MΩ·cm以上,各種形式存在的物質含量有一定規定限制的很純凈水
      3.8原水raw watcr
     純化處理之前的水。常用的原水將自來水、井水、河水等。
      3.9終端 terminal。
     高純水生產流程中經過各道沖化工藝后,水的出口使用地點??煞謩e稱為制水終端和用水
      3.10微量micro-amount
     試樣量在1mg左右。
      3.11 痕量 trace amount
     試樣量在1μg左右。
      3.12百萬分之一(ppm) part per million
    重量比的量,相當于每百萬重量的溶液中含一單位重量的溶質。在水質分析中,一殷也認為相當
    每升水樣含雜質的毫克數(mg/L)。
      3.13十億分之一(ppb)part per billion
    重量比的單位,相當于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質,在水質分折中,一般
    認為相當于短升水樣含雜質的微克數(μg/L)。

    4高純水的級別
    4.1高純水可分為電子級高純水和普通高純水,分別用符號EH和pH標志。
    4. 2電子級高純水
    4.2.1在制造工藝中使用電子級高純水的電力半導體器件有如下特點:
    a.具有精細圖形結構;
    b.對器件表面有特殊要求;
    c.工藝對水質有特定的嚴格要求。
    4.2.2電子級高純水分為兩個級別:特級和I級。它們的標志分別是:
    特級電子級高純水:EH—T
    一級電子級高純水:EH—1
    4.3普通高純水
    4.3.1普通高純水用于一般電力半導體器件的制造工藝中。
    4.3.2普雙高純水分為三個級別:Ⅰ級、Ⅱ級和Ⅲ級。它們的標志分別是:
    I級普通高純水:pH—Ⅰ
    x級普通高純水:PH—Ⅱ
    m級普通高純水:pH—Ⅲ
    4. 4電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱為高純水。

    5技術要求
    5.1電子級高純水
    5.1.1電子級高純水應考核四項內容:
    a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率);
    b.水中懸浮微粒的數量和大??;
    C. 水中有機物總量;
    d. 水中細菌微生物狀況。
    5. 1. 2電子級高純水的各項技術指標由表1給出。


    表l
    指    標  級別 
    EH— T  EH-I
    電阻率,MΩ·cm(25℃)  18 (90%時間)
    最小17 16~18 (90%時間)
    最小15
    大于1μm微粒數.個/mL <1 1
     大于0.5um微被數
    (最大值),個/mL 100  150
     細菌個數,個/mL  <1  1
     總有機碳含量(最大值),μg/L 50 100
    全硅(最大值),μg/L 2 10
    氯含量(最大值),μg/L  0.5 2
    鉀含量(最大值),μg/L  0.2 1
    鈉含量(顯大值)μg/L 0.2 1
    鈣含量(最大值),μg/L 0.5 1
    鋁含量(最大值),μg/L 0.5 1
    銅含量(最大值),μg/L 0.1 1
    總可溶性固體含量(最大值),μg/L  3 10

    高純水標準

    電導率之倒數。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。

     

    5.2普通高純水
    5.2.1普通高純水主要考核其電阻率。
    5.2.2普通高純水的技術指標由表2給出。
     
    表2 
    指   標 級   標
    PH-Ⅰ PH-Ⅱ PH-Ⅲ
    電阻率(25℃),MΩ,cm 12-15 8~<12 5~<8
    大于lμm的微粒數,個/mL <50
    總有機碳含量,μg/L  <500
    全硅,μg/L <100

    6測試方法和檢驗規則
    6.1電阻率測試方法
    6.1.1用電導率儀測量高純水電阻率時:
     a.電導池常數選川0.1—0.01cm-1;
     b.被測高純水應處于密封流動狀態,避免任何氣體混入,流速不低于0.3m/s。
    6.1.2在t℃時測得的電阻率值ρt,用下式換算成25℃的電阻率ρ25
        ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482}
    式中:ρ25——25℃時的電阻率MΩ.CM
       ρt——t℃時的電阻率MΩ.CM
       Gt——t℃時理論純水的電導率μS/CM,其值見附錄A;
       αt——t℃時修正系數,其值見附錄A;
       0.05482——t℃時理論純水的電導率μS/CM。
    6.2其他技術指標測量方法
      執行GB11446.5~11446.11中有關規定。
    6.3檢驗規則
    6.3.1各個級別高純水的電阻率為經常必測項目。
    6.3.2對電子級高純水,用水單位還應根據生產要求制定對微粒數、痕量金屬、細菌、有機物及二氧化硅等各項技術指標的檢驗規則。
    6.3.3制水工藝條件改變時,應及時對表1或表2中各項技術指標全面檢驗。
    6.3.4所有測量均應在制水終端和用水點兩處測量。制水終端水的質量稱為制水水質;用水點水的質量稱為用水水質。對普通高純水,用水水質和制水水質應在同一級別上。對電子級高純,主要檢驗用水水質,但應給出制水水質作參考。制水水質還用于檢驗制水設備和技術。
    6.4檢驗標志
    在高純水制水終端和用水點按要求進行檢驗后,若水質合格,應附標有下列內容的檢驗合格證:
      a.高純水的級別標志;
      b.要求檢測的技術指標及測量結果;
      c. 制水單位;
      d.連續供水開始日期(普通高純水可無此項);
      e.檢驗員簽章及檢驗日期。

    7取樣、存貯和運輸
    7. 1. 高純水的取樣
    7.1.1盛水容器必須使用塑料或硬質玻璃容器。用于測定硅或分析痕量成分時。必須使用聚乙烯等塑料容器。
    7.1.2取樣前,盛水容船應預先用洗滌劑清洗干凈,再用鹽酸(1十1)或10%硝酸溶液浸泡48H(分析陰離子用的容器除外),然后用高純水沖洗干凈,再用高純水浸泡不少于6h。臨取樣時,用待測高純水沖洗容器小少于10次、方可取樣。
    7.1.3采集水樣時,應先把管道中的積水放盡,并沖放5—10min,在流動狀態取樣。以保證水樣有充分的代表性。
    7.1.4取樣的體積約為容器體積的0.6—0.8,不得太滿。取樣后。應迅速把容器蓋嚴。
    7.1. 5細菌分析采樣容器必須經過高溫消毒處理。
    7.2 高純水的貯存與運輸
    7.2.1分析高純水中的陽、陰離子時,采集的水樣可存放72H。細菌檢驗時,水樣存放時間不得大于4H。
    7.2.2高純水在貯存和運輸時,應檢查容器益是否密封嚴密。裝有水樣的容器不能在太陽下曝曬或放在高溫處。冬天要注意防凍。
    7. 2.3高純水在貯存和運輸過程中;應定時記錄時間、溫度和氣候條件等。

     

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